Type. | Paglalarawan. |
Katayuan ng Bahagi | Obsolete |
---|---|
Uri ng FET | N-Channel |
Teknolohiya | SiCFET (Silicon Carbide) |
Patuyuin ang Pinagmulan ng Boltahe (Vdss) | 1200V |
Kasalukuyang - Patuloy na Drain (Id) @ 25 ° C | 41A (Tc) |
Boltahe sa Pagmamaneho (Max Rds On, Min Rds On) | 20V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 100 mOhm @ 20A, 20V |
Vgs (ika) (Max) @ Id | 3V @ 1mA (Typ) |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 130nC @ 20V |
Vgs (Max) | +25V, -10V |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2560pF @ 1000V |
Tampok na FET | - |
Pag-aalis ng Lakas (Max) | 273W (Tc) |
Temperatura ng Pagpapatakbo | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Uri ng Pag-mount | Through Hole |
Package ng Device ng Tagatustos | TO-247 |
Package / Kaso | TO-247-3 |
Rohs status. | Compliant ni RoHS. |
---|---|
Antas ng sensitivity ng kahalumigmigan (MSL) | Hindi maaari |
Katayuan ng lifecycle | Hindi na ginagamit / dulo ng buhay |
Stock category. | Magagamit na stock |