Type. | Paglalarawan. |
Katayuan ng Bahagi | Active |
---|---|
Uri ng FET | 4 N-Channel |
Tampok na FET | Silicon Carbide (SiC) |
Patuyuin ang Pinagmulan ng Boltahe (Vdss) | 1200V (1.2kV) |
Kasalukuyang - Patuloy na Drain (Id) @ 25 ° C | 147A (Tc) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 17 mOhm @ 100A, 20V |
Vgs (ika) (Max) @ Id | 4V @ 30mA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 332nC @ 5V |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 5576pF @ 1000V |
Lakas - Max | 750W |
Temperatura ng Pagpapatakbo | -40°C ~ 175°C (TJ) |
Uri ng Pag-mount | Chassis Mount |
Package / Kaso | Module |
Package ng Device ng Tagatustos | SP3 |
Rohs status. | Compliant ni RoHS. |
---|---|
Antas ng sensitivity ng kahalumigmigan (MSL) | Hindi maaari |
Katayuan ng lifecycle | Hindi na ginagamit / dulo ng buhay |
Stock category. | Magagamit na stock |