| Type. | Paglalarawan. |
| Katayuan ng Bahagi | Active |
|---|---|
| Uri ng FET | 2 N-Channel (Dual), Schottky |
| Tampok na FET | Silicon Carbide (SiC) |
| Patuyuin ang Pinagmulan ng Boltahe (Vdss) | 1200V (1.2kV) |
| Kasalukuyang - Patuloy na Drain (Id) @ 25 ° C | 148A (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 25 mOhm @ 80A, 20V |
| Vgs (ika) (Max) @ Id | 3V @ 4mA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 544nC @ 20V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 10200pF @ 1000V |
| Lakas - Max | 937W |
| Temperatura ng Pagpapatakbo | -40°C ~ 175°C (TJ) |
| Uri ng Pag-mount | Chassis Mount |
| Package / Kaso | SP3 |
| Package ng Device ng Tagatustos | SP3 |
| Rohs status. | Compliant ni RoHS. |
|---|---|
| Antas ng sensitivity ng kahalumigmigan (MSL) | Hindi maaari |
| Katayuan ng lifecycle | Hindi na ginagamit / dulo ng buhay |
| Stock category. | Magagamit na stock |
