Type. | Paglalarawan. |
Katayuan ng Bahagi | Active |
---|---|
Uri ng FET | N-Channel |
Teknolohiya | SiCFET (Silicon Carbide) |
Patuyuin ang Pinagmulan ng Boltahe (Vdss) | 1700V |
Kasalukuyang - Patuloy na Drain (Id) @ 25 ° C | 5.3A (Tc) |
Boltahe sa Pagmamaneho (Max Rds On, Min Rds On) | 20V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.4 Ohm @ 2A, 20V |
Vgs (ika) (Max) @ Id | 3.1V @ 500µA (Typ) |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 13nC @ 20V |
Vgs (Max) | +25V, -10V |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 200pF @ 1000V |
Tampok na FET | - |
Pag-aalis ng Lakas (Max) | 78W (Tc) |
Temperatura ng Pagpapatakbo | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Uri ng Pag-mount | Surface Mount |
Package ng Device ng Tagatustos | D2PAK-7 |
Package / Kaso | TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA |
Rohs status. | Compliant ni RoHS. |
---|---|
Antas ng sensitivity ng kahalumigmigan (MSL) | Hindi maaari |
Katayuan ng lifecycle | Hindi na ginagamit / dulo ng buhay |
Stock category. | Magagamit na stock |