| Type. | Paglalarawan. |
| Katayuan ng Bahagi | Active |
|---|---|
| Uri ng FET | 2 N-Channel (Half Bridge) |
| Tampok na FET | Silicon Carbide (SiC) |
| Patuyuin ang Pinagmulan ng Boltahe (Vdss) | 1200V (1.2kV) |
| Kasalukuyang - Patuloy na Drain (Id) @ 25 ° C | 444A (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4.3 mOhm @ 400A, 20V |
| Vgs (ika) (Max) @ Id | 4V @ 105mA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 1127nC @ 20V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | - |
| Lakas - Max | 3000W |
| Temperatura ng Pagpapatakbo | 175°C (TJ) |
| Uri ng Pag-mount | - |
| Package / Kaso | Module |
| Package ng Device ng Tagatustos | Module |
| Rohs status. | Compliant ni RoHS. |
|---|---|
| Antas ng sensitivity ng kahalumigmigan (MSL) | Hindi maaari |
| Katayuan ng lifecycle | Hindi na ginagamit / dulo ng buhay |
| Stock category. | Magagamit na stock |
