| Type. | Paglalarawan. |
| Katayuan ng Bahagi | Active |
|---|---|
| Uri ng FET | N-Channel |
| Teknolohiya | SiCFET (Silicon Carbide) |
| Patuyuin ang Pinagmulan ng Boltahe (Vdss) | 1200V |
| Kasalukuyang - Patuloy na Drain (Id) @ 25 ° C | 40A (Tc) |
| Boltahe sa Pagmamaneho (Max Rds On, Min Rds On) | 20V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 100 mOhm @ 20A, 20V |
| Vgs (ika) (Max) @ Id | 2.6V @ 1mA (Typ) |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 105nC @ 20V |
| Vgs (Max) | +25V, -10V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1700pF @ 400V |
| Tampok na FET | - |
| Pag-aalis ng Lakas (Max) | 270W (Tc) |
| Temperatura ng Pagpapatakbo | -55°C ~ 200°C (TJ) |
| Uri ng Pag-mount | Through Hole |
| Package ng Device ng Tagatustos | HiP247™ |
| Package / Kaso | TO-247-3 |
| Rohs status. | Compliant ni RoHS. |
|---|---|
| Antas ng sensitivity ng kahalumigmigan (MSL) | Hindi maaari |
| Katayuan ng lifecycle | Hindi na ginagamit / dulo ng buhay |
| Stock category. | Magagamit na stock |
